型号:SI2301BDS-T1-E3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 100 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 950mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 10nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 375pF @ 6V |
功率_最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
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