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电子元器件详细资料 » IC[27384] » SI2301BDS-T1-E3
型号:SI2301BDS-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222950mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs10nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds375pF @ 6V
功率_最大700mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装剪切带 (CT)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市俊晖半导体有限公司李先生【原装正品,可开发票】13410941925
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
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SI2301BDS-T1-E3相关型号

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